除SiC、GaN外，第三代半導(dǎo)體還包括眾多其他材料，包括III族氮化物（AlN、InGaN、InAlN、AlGaN、AlInGaN等）、氧化物半導(dǎo)體（包括ZnO, CaTiO3, IGZO, β-Ga2O3 ,TiO2）以及金剛石半導(dǎo)體等。碳化硅基氮化鎵技術(shù)開始的，它在20多年前即已推出，現(xiàn)已成為RF功率應(yīng)用方面LDMOS和GaAs的有力競爭者。碳化硅基、氮化鎵打頭，硅基氮化鎵緊跟，硅基氮化鎵除了軍用雷達(dá)領(lǐng)域的深度滲透，它還是華為、諾基亞、三星等電信原始設(shè)備制造商（OEM）5G大規(guī)模MIMO基礎(chǔ)設(shè)施的首選。

增速方面，第三代半導(dǎo)體在功率器件的增速和體量都要大于微波射頻。微波領(lǐng)域在2020年已經(jīng)達(dá)到頂峰，因?yàn)?G建設(shè)的放緩，今年可能會(huì)有所下滑。故此推測，第三代半導(dǎo)體真正的應(yīng)用領(lǐng)域還是在功率器件或者電力電子器件，市場滲透主要包括新能源汽車和光伏逆變器。

第三代半導(dǎo)體仍是個(gè)新興技術(shù)，全球市場處于初期階段。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包含襯底、外延材料、器件設(shè)計(jì)、制造、模塊和應(yīng)用這幾個(gè)環(huán)節(jié)。外延與器件設(shè)計(jì)方面，由于技術(shù)相對(duì)簡單，門檻不高，目前國內(nèi)外差距較??；而器件制造則是另一個(gè)差距較大的方面，國外由于發(fā)展較早，在制造的過程中累積了大量的產(chǎn)業(yè)，其產(chǎn)品擁有較高的良率和可靠性。

國內(nèi)第三代半導(dǎo)體器件已經(jīng)迅速進(jìn)入了新能源汽車、光伏逆變、5G 基站、PD 快充等應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅主要應(yīng)用在新能源汽車和工控等領(lǐng)域，氮化鎵器件主要應(yīng)用在5G基站等領(lǐng)域。2020 年我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子總產(chǎn)值超過 100 億元，同比增長 69.5%。其中，SiC、GaN 電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá) 44.7 億元，同比增長 54%；GaN 微波射頻產(chǎn)值達(dá)到 60.8億元，同比增長 80.3%。